應用S7-200時,可以選用以下幾種數據保持方法:
CPU的內置超級電容,斷電時間不太長時,可以為數據和時鐘的保持提供電源緩沖
CPU上可以附加電池卡,與內置電容配合,長期為時鐘和數據保持提供電源
設置系統(tǒng)塊,在CPU斷電時自動保存M區(qū)中的14個字節(jié)數據
在數據塊中定義不需要更改的數據,下載到CPU內可以永久保存
用戶編程使用相應的特殊寄存器功能,將數據寫入EEPROM永久保存
上述前三個數據保持功能都是在“系統(tǒng)塊-數據保持”中設置
S7-200系統(tǒng)中用到了三種存儲器件:
RAM: 易失性的存儲器,失去電源供應后,其中保存的數據會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容+外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T(定時器)、C(計數器)等各數據區(qū)的內容,在CPU失電后的表現由用戶在系統(tǒng)塊“數據保持”頁中設置
EEPROM:非易失的電可擦除存儲器,保存數據不需要供電,并且可以改寫其內容。上述RAM數據區(qū)中有的部分與EEPROM中的區(qū)域一一對應。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區(qū)中
外插存儲卡:非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數據記錄(歸檔)、配方數據,以及一些其他文件等
S7-200 CPU的以下數據空間屬于RAM存儲區(qū):
變量存儲區(qū)(V):可以按位、字節(jié)、字或雙字來存取V 區(qū)數據
位存儲區(qū)(M):可以按位、字節(jié)、字或雙字來存取M區(qū)數據
定時器存儲區(qū)(T):用于時間累計,分辨率分為1ms、10ms、100ms三種
計數器存儲區(qū)(C):用于累計其輸入端脈沖電平由低到高的次數。CPU提供了三種類 型的計數器:一種只能增計數;一種只能減計數;另外一種既可 以增計數,又可以減計數。
RAM區(qū)的數據保持靠“內置超級電容+外插電池卡”的機制。
在CPU內部靠一個超級電容,在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖,保存時間可達幾天之久,具體時間見表1、表2。CPU上電時,超級電容就可以充電。要獲得規(guī)格表中的數據保持時間,電容必須連續(xù)充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡(需單獨定貨),在超級電容耗盡后為RAM數據區(qū)提供電源緩沖。在連續(xù)無供電時,它可使用200天(即保持數據達200天)。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。
電池卡是不可充電的。
CPU內置的EEPROM存儲器用于永久保存數據,包括與RAM數據區(qū)一一對應的全部的V存儲區(qū)、部分M存儲區(qū)(MB0 - MB13)、定時器(TONR)。
例如V存儲區(qū)的VW100(RAM)在EEPROM中有其獨占的對應地址,數據在從EERPOM中寫到V存儲區(qū)中時,其目標地址就是VW100。
數據可以用如下方式寫入EEPROM數據區(qū):
在編程軟件Micro/WIN的Data Block(數據塊)中定義V數據區(qū)存儲單元的初始值,下載數據塊時,這些數值也被寫入到相應的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32,用編程方法將V存儲區(qū)的數據寫入EEPROM
在System Block(系統(tǒng)塊)中設置數據保持功能,可將MB0 - MB13的內容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中
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